国产19nm DDR4内存芯片良率已达75% 17nm工艺爬升中
其中，长鑫12吋存储器晶圆制造基地项目是中国大陆第一个投入量产的DRAM设计制造一体化项目，也是安徽省单体投资最大的工业项目，总投资约1500亿元；空港集成电路配套产业园，位于基地以西，总投资超过200亿元；
合肥空港国际小镇位于基地以北，规划土地面积9.2平方公里，规划总建筑面积420万平方米，总投资约500亿元。
截至2020年底，合肥长鑫12吋存储器晶圆制造基地项目提前达到4万片/月产能，今年3月份开始启动6万片/月产能建设，实现了从投产到量产再到批量销售的关键跨越。
内存技术上，长鑫量产的第一代DDR4/LPDDR4芯片是19nm工艺，此前一直没有公布具体细节，日前兆易创新在一次会议上透露长鑫的19nm工艺良率已达75%。
75%的良率在业内不算顶尖水平，不过考虑到长鑫生产内存不到2年时间，现在的良率表现已经不错了，制造出来还是能保证毛利的。
此外，长鑫的第二代内存升级到了17nm工艺，具体良率没公布，但目前会比较低，还在爬升中。
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